MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 - SI2312BDS-T1-E3

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Digi-Key 品番

SI2312BDS-T1-E3TR-ND

数量	単価	価格
3000	22.42233	67266.99
6000	21.30133	127807.98
12000	20.82083	249849.96
24000	20.02	480480.00
51000	19.69969	1004684.19
99000	19.2192	1902700.80

メーカー品番

SI2312BDS-T1-E3

商品概要

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

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MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 - SI2312BDS-T1-E3 - ディスクリート半導体製品

データシート	SI2312BDS-T1-E3
メーカー	Vishay/Siliconix
種類	ディスクリート半導体製品
装着タイプ	面実装
FETタイプ	MOSFET Nチャンネル、酸化金属
ドレイン - ソース電圧 (Vdss)	20V
電流 - 連続ドレイン(Id) @ 25°C	3.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs @ 25°C	31 mオーム @ 5A, 4.5V
Vdsでの入力静電容量（Ciss）	-
電力－最大	750mW
梱包形態	テープ＆リール(TR)
Vgsでのゲート電荷(Qg)	12nC @ 4.5V
パッケージ/ケース	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
鉛フリーステータス	Lead Free
RoHS ステータス	RoHS Compliant
その他の製品名/品番	SI2312BDS T1 E3 SI2312BDST1E3 SI2312BDS T1 E3TR ND SI2312BDST1E3TRND SI2312BDS-T1-E3TR

Image of MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 - SI2312BDS-T1-E3

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MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 - SI2312BDS-T1-E3
(SI2312BDS-T1-E3TR-ND)

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 - SI2312BDS-T1-E3 (SI2312BDS-T1-E3TR-ND)

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