DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006 - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

1N4006FSTR-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
5000	0.01445	72.25
10000	0.01205	120.50
25000	0.01044	261.00
50000	0.00964	482.00
100000	0.00883	883.00

Hersteller-Teilenummer

1N4006

Beschreibung

DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41

Verfügbare Menge

30000

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DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	1N4006
Hersteller	Fairchild Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Diodentyp	Standard
Spannung - Sperr (Vr) (max.)	800V
Strom - durchschn. Richt (Io)	1A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) @ If	1,1V @ 1A
Rückwärts-Erholzeit (Trr)	-
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 800V
Geschwindigkeit	Standarderholzeit >500 ns, > 200 mA (Io)
Montagetyp	Durchsteckloch, axial
Verpackung / Behälter	DO-204AL, DO-41, axial
Verpackung	Band und Spule (Tape and Reel - TR)
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	1N4006 1N4006 1N4006FSTR ND 1N4006FSTRND 1N4006FSTR

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006
(1N4006FSTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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In Verbindung stehende Teile DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006 (1N4006FSTR-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte :
DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006
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DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006
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DIODE GEN PURPOSE 800V 1A DO41 - 1N4006
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DIODE GEN PURPOSE 200V 1A DO41 - 1N4003
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DIODE GEN PURPOSE 50V 1A DO41 - 1N4001
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DIODE GEN PURPOSE 100V 1A DO41 - 1N4002
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DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DO41 - 1N4005
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DIODE GEN PURPOSE 50V 1A DO41 - 1N4001
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DIODE GEN PURPOSE 100V 1A DO41 - 1N4002
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DIODE GEN PURPOSE 200V 1A DO41 - 1N4003
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