MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer

IRFD123PBF-ND

Preisreduzierung	Einheitspreis	Gesamtpreis
1	1.2	1.20
25	0.9636	24.09
100	0.803	80.30
250	0.70664	176.66
500	0.59422	297.11
1000	0.4818	481.80
2500	0.43362	1084.05
5000	0.41756	2087.80
10000	0.40471	4047.10

Hersteller-Teilenummer

IRFD123PBF

Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Verfügbare Menge

2196

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MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	IRFD123PBF
Hersteller	Vishay/Siliconix
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Durchführungsloch
Typ FET	MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	100V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	1,3A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	270 mOhm @ 780mA, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	360pF @ 25V
Leistung - max.	1,3W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	16nC @ 10V
Verpackung / Behälter	4-DIP, HVMDIP
Bleifrei Status	Lead Free
RoHS Status	RoHS Compliant
Andere Namen	IRFD123PBF IRFD123PBF

Image of MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF
(IRFD123PBF-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF (IRFD123PBF-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

In Verbindung stehende Teile MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF (IRFD123PBF-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte :
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD123PBF
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MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD120
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MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRLD120
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MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRFD120PBF
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MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP - IRLD120PBF
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MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD110
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MOSFET P-CH 100V 700MA 4-DIP - IRFD9110
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MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD9120
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MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP - IRLD110
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MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP - IRFD110PBF
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