MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP - IRFIBF30G - Diskrete Halbleiterprodukte

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Digi-Key Teilenummer IRFIBF30G-ND
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Hersteller-TeilenummerIRFIBF30G
BeschreibungMOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
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MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP - IRFIBF30G - Diskrete Halbleiterprodukte
Technische InformationIRFIBF30G
HerstellerVishay/Siliconix
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte
MontagetypDurchführungsloch
Typ FETMOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)900V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C1,9A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C3,7 Ohm @ 1,1A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
Leistung - max.35W
VerpackungRohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs78nC @ 10V
Verpackung / BehälterTO-220-3 Full Pack (gerade Anschlüsse, isoliert), ITO-220AB
Bleifrei StatusContains Lead
RoHS StatusRoHS Non-Compliant
Andere Namen IRFIBF30G
IRFIBF30G
Image of MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP - IRFIBF30G
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP - IRFIBF30G
(IRFIBF30G-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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