MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342 - Diskrete Halbleiterprodukte

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IRF7342

Beschreibung

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	IRF7342
Hersteller	International Rectifier
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Oberflächenmontage
Typ FET	2 P-Kanal (zweifach)
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	55V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	3,4A
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	105 mOhm @ 3,4A, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	690pF @ 25V
Leistung - max.	2W
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Verpackung / Behälter	8-SOIC (3,9 mm breit)
Bleifrei Status	Contains Lead
RoHS Status	RoHS Non-Compliant
Andere Namen	IRF7342 IRF7342

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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342
(IRF7342-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342
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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342TR
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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342TRPBF
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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342TRPBF
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MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342TRPBF
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MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC - IRF7342D2PBF
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MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC - IRF7104
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MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC - NDS8947
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MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC - NDS9400A
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