MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170 - Diskrete Halbleiterprodukte

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BS170

Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92

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MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170 - Diskrete Halbleiterprodukte

Technische Information	BS170
Hersteller	ON Semiconductor
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte
Montagetyp	Durchführungsloch
Typ FET	MOSFET-N-Kanal, Metalloxid
Spannung - Drain an Quellspannung (Vdss)	60V
Strom – Kontinuierlicher Drain (Id) @ 25 °C	500mA
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C	5 Ohm @ 200mA, 10V
Eingangskapazität (Ciss) @ Vds	60pF @ 10V
Leistung - max.	350mW
Verpackung	Rohr
Gateaufladung (Qg) @ Vgs	-
Verpackung / Behälter	TO-92-3 (Standardgehäuse), TO-226
Bleifrei Status	Contains Lead
RoHS Status	RoHS Non-Compliant
Andere Namen	BS170 BS170 BS170OS ND BS170OSND BS170OS

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MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170
(BS170OS-ND) - Diskrete Halbleiterprodukte

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MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170_D27Z
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MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170_D74Z
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MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170
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MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 - BS170_D27Z
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